Новая технология: достигнуто получение ультрафиолетового излучения милливаттного уровня!
2026-04-29
Новая технология: достигнуто получение ультрафиолетового излучения милливаттного уровня!
Недавно группа исследователей под руководством Марко Лончара из Гарвардского университета, в сотрудничестве с рядом других научных организаций, опубликовала в журнале *Nature Communications* результаты значимого исследования. Используя инновационную технологию волноводов на основе ниобата лития с поляризацией боковых стенок (SPLN), ученые впервые продемонстрировали генерацию ультрафиолетового излучения (с длиной волны 390 нм) милливаттного уровня (4,2 мВт) непосредственно на чипе, созданном на платформе из тонкопленочного ниобата лития.
Исследователи применили стратегию «травления после поляризации» (post-polarization etching) для точного размещения металлических электродов на боковых стенках волновода; благодаря этому им удалось добиться полного инвертирования доменов по всему поперечному сечению волновода и получить практически идеальный коэффициент заполнения (скважность) в 50%. Изготовленный волновод длиной 1,5 см установил рекорд по сверхнизким потерям при распространении излучения на длине волны 405 нм: их величина составила всего 2,3 дБ/см. Кроме того, устройство продемонстрировало нормированную эффективность преобразования, достигающую 5050% Вт⁻¹ см⁻², и абсолютную эффективность преобразования на уровне 24,5%. По сравнению с предыдущими исследованиями подобного рода (в которых максимальная выходная мощность составляла около 30 мкВт), данная работа демонстрирует увеличение выходной мощности более чем на два порядка. Этот прорыв утверждает тонкопленочный ниобат лития в качестве практически применимой платформы для создания источников ультрафиолетового излучения на чипе, открывая перспективы для развития интегрированных систем в таких областях, как квантовые вычисления на ионных ловушках, оптические часы, микроскопия сверхвысокого разрешения и сенсорика газов.
