Университет Токио успешно разработал новую технологию лазерной обработки микроотверстий стеклянных подложек 

Недавно Университет Токио объявил об успешной разработке «технологии лазерной обработки микроотверстий» для следующего поколения полупроводниковых стеклянных подложек, которая может обеспечить высокоточную обработку микроотверстий с чрезвычайно малой апертурой и высоким соотношением сторон на стеклянных материалах. Стеклянная подложка, используемая в эксперименте, — это «EN-A1», произведенная AGC.

С помощью ультракоротких импульсных лазеров глубокого ультрафиолета команда достигла точности обработки стеклянных материалов на уровне микронов — диаметр отверстия проникновения составляет менее 10 микрон, а соотношение сторон может достигать 20:1. Ранее было сложно подготовить структуры отверстий с высоким соотношением сторон на основе процессов травления кислотным раствором, и технология прямой обработки лазером глубокого ультрафиолета не только преодолела это узкое место, но и обеспечила высококачественную обработку отверстий без трещин. Кроме того, этот процесс не требует этапов химической обработки, что может значительно снизить нагрузку на окружающую среду, вызванную обработкой жидких отходов.

Микроскопические изображения микропор, просверленных на стекле EN-A1 сверху и сбоку

Это достижение является важной вехой в технологии постобработки полупроводникового производства следующего поколения. Поскольку материал ядра подложки и материал интерпозера переходят на стеклянную основу, эта технология обеспечивает ключевое решение для обработки сквозных отверстий стеклянных подложек. В будущем ожидается, что она будет способствовать разработке полупроводниковых устройств в сторону меньших размеров и более высокой сложности интеграции в технологии чиплетов.