Компания Поставка кремния из Китаяпоставила оборудование для серийного производства оборудования для лазерной обработки подложек из карбида кремния размером 12 дюймов. 

Недавно компания Silicon Laser Semiconductor Co., Ltd. (далее именуемая «Silicon Laser») успешно поставила своим клиентам третью партию оборудования для массового производства методом лазерного отслаивания, совместимого с 12-дюймовыми подложками из карбида кремния. Эта поставка знаменует собой успешное промышленное тестирование технологии лазерного отслаивания сверхбольших подложек из карбида кремния от Silicon Laser, что придает новый импульс развитию отрасли карбида кремния.

Карбид кремния, как представитель полупроводников третьего поколения, обладает такими преимуществами, как большая ширина запрещенной зоны, высокая температура плавления и высокая теплопроводность. Он отлично работает в условиях высоких температур, высокого давления и высоких частот и широко используется в электромобилях, интеллектуальных сетях, сетях связи 5G и других областях. Ожидается также, что он станет движущей силой технологической трансформации во многих областях, являясь идеальным материалом для антибликовых линз и современных упаковочных интерпозеров. По сравнению с 6-дюймовыми подложками, 8- и 12-дюймовые подложки из карбида кремния позволяют значительно расширить площадь, доступную для производства микросхем на одной пластине, существенно повышая выход годной продукции и снижая затраты при тех же производственных условиях.

Разработанная компанией технология лазерного отслаивания является передовой.

Основная команда разработчиков Silicon Laser состоит из специалистов лазерного направления Хуачжунского университета науки и технологий, обладающих мощными возможностями для технологических инноваций и многолетним опытом работы в лазерной индустрии.

Команда самостоятельно разработала технологию лазерного отслаивания монокристаллов SiC с твердостью по шкале Мооса 9,5, приближающейся к твердости алмаза. Они последовательно запустили оборудование для серийного производства подложек из карбида кремния размером 6, 8 и 12 дюймов, решая технические проблемы обработки крупногабаритных, особенно сверхкрупногабаритных, подложек из карбида кремния. Эффективность и потери значительно превосходят традиционные процессы проволочной резки. Основные технологические преимущества:

Высокая эффективность обработки: время лазерной обработки 8-дюймовой пластины < 15 минут, в 20-30 раз быстрее, чем при традиционной проволочной резке;

Низкие потери материала: потери слитка карбида кремния на 8-дюймовой пластине составляют 60-80 мкм, что на 60% меньше, чем при традиционной проволочной резке, и в процессе обработки не используются расходные материалы или химические реагенты;

Высокий выход годных пластин: по сравнению с традиционной проволочной резкой выход годных пластин увеличивается на 30%, а стоимость обработки одной пластины снижается на 50%.

Оборудование для лазерной обработки подложек из карбида кремния Silai отличается от существующих отраслевых технологий тем, что:

Уникальным образом использует комбинированный источник света SOC. По сравнению с решениями, использующими несколько независимых источников света, оно отличается более высокой интеграцией и стабильностью;

Оснащено технологией формирования оптического пути свободной формы поверхности;

Особенности: технология «обнаружение формы поверхности с интерференцией белого света + компенсация алгоритма инверсии»: исключительная надежность;

Поддерживает индивидуальные процессы обработки кристаллов карбида кремния с различным сопротивлением, выдерживает более высокую энергию и обладает характеристиками «отсутствие старения, отсутствие ограничений по сроку службы и высокая помехоустойчивость»;

Одновременно поддерживает размеры 6, 8 и 12 дюймов, обеспечивая точность позиционирования и совместимость с нестандартными размерами, что соответствует производственным требованиям;

Один блок размером 1,2 м * 1,4 м может выполнить весь процесс резки, а также автоматическую загрузку и выгрузку. Пространственная компоновка более компактна, а размеры оборудования глубоко оптимизированы. Обеспечивая полностью автоматизированную высокопроизводительную работу, он значительно экономит пространство цеха, повышает общий коэффициент использования производственных площадей и адаптируется к потребностям компоновки производственных линий различных размеров, делая их более эффективными, точными и интеллектуальными.

Менее чем за шесть месяцев компания SiliconWay отгрузила десятки комплектов оборудования, широко представленных на многих ведущих китайских предприятиях по производству карбида кремния. Благодаря модульной конструкции и сотрудничеству с промышленностью, компания Silicon Laser Semiconductor достигла массового производства с циклом поставки партий в 28 дней, который, как ожидается, в будущем сократится до 14 дней. Одновременно компания разрабатывает основное оборудование для кремниевых фотонных чипов, и её собственное оборудование для лазерной нарезки кремниевых фотонных чипов успешно экспортируется за рубеж. Благодаря высокой точности, стабильности и экономичности, оно станет одной из основных моделей компании в будущем.

Silicon Laser успешно привлекла стратегических инвесторов, таких как Wuhan Di’er Laser Technology Co., Ltd. Будучи ведущим мировым производителем прецизионного лазерного оборудования для микро- и нанообработки, Di’er Laser всегда придерживалась оригинальных инноваций, глубоко осваивая неизведанные области применения лазерных технологий. В полупроводниковой отрасли компания выпустила множество видов оборудования, включая оборудование для лазерного микросверления отверстий TGV, сверхбыстрого лазерного сверления печатных плат, лазерного отжига SiC/IGBT и лазерной нарезки. В будущем компания Silicon Laser сосредоточится на ключевом направлении — производстве полупроводникового лазерного оборудования, будет постоянно оптимизировать основные технологии, такие как источники света для SoC и оптические пути для поверхностей произвольной формы, углублять сотрудничество с Di’er Laser в области инноваций и способствовать развитию индустрии подложек из карбида кремния с помощью более передовых технологий и высококачественных услуг.